サファイアウエハー(r)はミクロ集積回路に使われるシリコンのヘテロエピタキシャル成長などに用いられます。
また、銅系酸化物超電導体デバイス作製時の基板としても非常に有名です。
超伝導デバイスでは厚み公差の制御が非常に重要であり、K&Rはそれにお応えする形で「厚み公差：+/-5um」という
特殊なサファイアウエハーにもご対応致しております。
面精度 |
+/- 0.3° |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
45° counter clockwise from c軸投影線(r面上), 16mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 10um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
