サファイアウエハー(m)はLP-MOCVDによるMgZnO薄膜（半導体発光素子関連）の下地基板として、非常にポピュラーな材料です。
面精度 |
+/- 0.3° |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
(0001) (+/- 0.2°）,16mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 10um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
