Nbドープ濃度別、抵抗率
置換型GGG単結晶基板、(GdCa)3(GaMgZr)5O12と表記します。
GGGと併せて磁性体関連に使われている材料です。
ドイツ製10x5mm最終販売品残りわずかです。基本的には中国製のみのお取り扱いです。
サイズ |
10x5mm, 10x10mm, 20x20mm, 2″φ~3″φ等 |
---|---|
厚み |
0.5mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(100)、(110)、(111) |
結晶育成方法 |
チョクラルスキー |
---|---|
結晶構造 |
Cubic |
格子定数 (nm) |
a=1.2505 |
結晶カラー |
淡茶色 |
密度 (g/cm3) |
7.09 |
比誘電率 |
30 |
硬度 (Mohs) |
7.5 |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。
GGG単結晶はYIGなどの磁性薄膜作製に用いられる定番材料です。
正しくはGd3Ga5O12と表記しますが、頭文字+ガーネット構造で、GGGと呼ばれています。
K&Rでは定番の(111)面はもちろん、(100)や(110)面まで、最高品質のGGG単結晶基板を販売しており、
スピントロニクスの研究分野で世界最先端を走っておられる数々の著名研究グループにご採用
いただいてまいりました。
良質なガーネット系基板をお探しのお客様、是非お試し下さいませ。
サイズ |
10x10mm ※10x10mmよりも大きいサイズは外周部の結晶性が極端に下がるため扱っておりません |
---|---|
厚み |
0.5mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(111)、(100)、(110) |
結晶育成方法 |
チョクラルスキー |
---|---|
結晶構造 |
Cubic |
格子定数 (nm) |
a=1.2382 |
結晶カラー |
淡黄色 |
密度 (g/cm3) |
7.02 |
溶融温度 (K) |
2003 |
熱膨張率 (10-6K-1) |
8.2 |
比誘電率 |
30 |
損失係数 |
0.15 |
硬度 (Mohs) |
6.5 |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。
YAlO3単結晶(通称:YAP)は主にレーザー市場でよく見かける単結晶ですが、薄膜分野においても
強磁性体などをはじめ様々な機能性酸化物の分野にて活躍しております。
K&Rでは、良質な結晶から加工したドイツメーカー品を市場に出回っている価格よりも廉価に
取り扱っております。
また、(110)-orthorhombicなどの定番面方位品は常に在庫所持しておりますので、急ぎの折にも
即日ご対応申し上げます。
サイズ |
10x10mm |
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厚み |
0.5mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(110)-orthorhombic、(001)-orthohombic |
結晶育成方法 |
チョクラルスキー |
---|---|
結晶構造 |
Orthorhombic |
格子定数 (nm) |
a=0.518027 b=0.532951 c=0.737059 |
結晶カラー |
無色 |
密度 (g/cm3) |
4.88 |
溶融温度 (K) |
2143 |
熱膨張率 (10-6K-1) |
2-10 x |
比誘電率 |
16~20 |
硬度 (Mohs) |
8.5 |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。
MgAl2O4単結晶基板(スピネル型)はMgOと異なり潮解性がなく、外気に対して安定しているのが特徴です。
MgAl2O4の用途としては、スピンエレクトロニクスやⅢ-Ⅴ窒化物半導体デバイス用基板が挙げられます。
使い勝手が良い一方、熱拡散の影響などで結晶育成の難易度が高く、結晶性の良くない基板が市場に出回っていることも多いので品質には注意が必要です。
K&Rでは結晶性に優れた(下記ROCデータご参照)MgAl2O4単結晶基板のみを取り扱っておりますので、安心してお使いいただけます。
納期が長くなってしまう場合がございますので、ご検討いただける折はお早目にお声かけ下さいませ。
![](https://k-and-r.co.jp/wp-content/uploads/2023/06/MAO-rocking-curve.jpg)
MgAl2O4単結晶基板 R.O.C データ
(測定ご協力:東京工業大学・安井研究室)
サイズ |
10x10mm、15x15mm、20x20mm |
---|---|
厚み |
0.5mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(100)、(110)、(111) |
結晶育成方法 |
チョクラルスキー |
---|---|
結晶構造 |
Cubic |
格子定数 (nm) |
a=0.8083 |
結晶カラー |
無色 |
密度 (g/cm3) |
3.60 |
溶融温度 (K) |
2403 |
熱膨張率 (10-6K-1) |
7.45 |
硬度 (Mohs) |
8 |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です
イットリア安定化ジルコニア、通称:YSZ。
K&Rが販売するYSZ単結晶基板は不純物を限りなく含まない、AAAランクの単結晶から製造されております。
安定した特性が期待されるため、シビアな実験にも最適です。
YSZは非常に頑丈で安定した結晶なので使い勝手が非常に良く、光学窓材などにも応用されています。
また、熱伝導率が他の酸化物単結晶に比べて低いのも特徴的です。
サイズ |
10x10mm~20x20mm |
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厚み |
0.5mm, 1mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(100)、 (110)、 (111) |
Yドープ濃度 |
9.5 mol%程度 ※厳密に濃度管理しているわけではないので、参照値程度にてお願い致します。 |
---|---|
結晶育成方法 |
スカルメルト |
結晶構造 |
cubic |
格子定数 (nm) |
a=0.512 |
結晶カラー |
無色 |
密度 (g/cm3) |
5.9 |
溶融温度 (K) |
2780 |
熱伝導率 (W/m K) |
1.8 |
比誘電率 |
27 |
伝送距離 (um) |
0.4~6.5 |
硬度 (Mohs) |
8.7 |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。
LSATは超伝導体や高機能酸化物とよくマッチングする格子定数を持つため、様々な薄膜作製の下地基板として用いられます。
還元耐性の高さを活かして、リチウムイオン電池の研究に頻繁に使われることもございます。
K&Rは他の酸化物基板同様、高品質なLSAT単結晶基板を販売しております。
どうぞお気軽にお問合せ下さい。
※ 結晶の育成がその他酸化物よりも難易度が高く、良質なLSAT単結晶を育成するのに相当の時間を要します。また、加工中にクラックが発生することも多いため収率が低く、入手できる数量にも限りがございます。
LSAT単結晶基板をご入用のお客様はお早目のご計画をいただけますようお願い申し上げます。
サイズ |
5x5mm、10x10mm 等 |
---|---|
厚み |
0.5mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(100)、(110)、(111) |
結晶育成法 |
チョクラルスキー |
---|---|
結晶構造 |
cubic, twinfree |
格子定数 (nm) |
a=0.3868 |
結晶カラー |
オレンジ ※ ロット間で多少のバラつきがございます |
密度 (g/cm3) |
6.74 |
溶融温度 (K) |
2110 |
熱膨張率 (10-6K-1) |
8.2 |
比誘電率 |
22.7 |
損失係数 (77K, 8.8GHz) |
2×10-4 |
硬度 (Mohs) |
6.5 |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
TiO2単結晶基板 (ルチル)は各種光学用途や、酸化バナジウム薄膜・透明導電膜の作製等に利用されています。
K&Rでは、世界的にも著名な研究者様が採用されているCrysTec GmbH社製のTiO2基板を短納期(一部在庫あり)かつ、
お安く販売しております。
また、導電性を付与したNb doped:TiO2基板にも対応しておりますので、是非お問い合わせ下さい。
サイズ |
10x5mm、10x10mm等 |
---|---|
厚み |
0.5mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(001)、(110)、(100)、(111)等 |
結晶育成法 |
ベルヌーイ |
---|---|
結晶構造 |
tetragonal |
格子定数 (nm) |
a=0.459、 c=0.296 |
結晶カラー |
淡黄色 |
密度 (g/cm3) |
4.26 |
溶融温度 (K) |
2100 |
熱伝導率 (W/m K) |
12.6//C 8.8⊥C |
比誘電率 |
200 |
損失係数 (77K, 10GHz) |
17×10-3 |
硬度 (Mohs) |
6.5 |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
関連商品
□ TiO2基板 ( 面方位精度: +/-0.1° )
面方位の精度をシビアにすることで、超薄膜の作製に最適な、幅の広いテラス面を出すことが可能となります。
K&Rでは、そのようなシビアな面方位公差の基板も最小限の追加料金にて販売しております。
□ Nb-doped: TiO2基板
導電性を付与したTiO2基板です。Nb0.05wt%、Nb0.5wt%の2種類を扱っております。
標準的なSrTiO3基板にNbをドープし、導電性を付与した基板です。
大きなサイズには対応しておりませんが、10x10mmをメインに様々なドープ濃度にご対応申し上げます。
サイズ |
10x5mm、10x10mm、等 |
---|---|
厚み |
0.5mm |
ドープ濃度 |
0.01wt%, 0.05wt%, 0.1wt%, 0.5wt%, 0.7wt% |
結晶カラー |
薄黒~濃青黒(ドープ濃度による) |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(100)、(110)、(111) |
![](https://k-and-r.co.jp/wp-content/uploads/2023/06/NbdopedSTO-resitivity.png)
![](https://k-and-r.co.jp/wp-content/uploads/2023/06/DSC-1-scaled.jpg)
サイズ |
5x5mm、10x5mm、10x10mm等 |
---|---|
厚み |
0.5mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(110)、(001)等 |
DyScO3単結晶基板(ジスプロジウムスキャンデート単結晶基板)は世界で唯一、DyScO3の単結晶育成を行える某結晶育成研究所と専属提携している(独)CrysTec GmbH社でしか製造されていない単結晶です。つまり、市場に出回っているDyScO3単結晶基板は元を辿ると全てCrysTec発という非常に貴重な基板です。
K&RはCrysTec GmbH社の日本総代理店として、直輸入による万全の品質・アフターケアのお約束はもちろんのこと、
圧倒的にお求めやすい価格にて販売させていただいております。
常々在庫確保に努めておりますが、良質なDyScO3単結晶を育成するのに時間がかかり、結晶サイズや需要の関係から確保できる数量にも限りがございますため、売り切れている場合も多いです。(想定標準納期:3~4ヶ月程度)
DyScO3単結晶基板をご利用予定のお客様はお早めのご計画を何卒お願い申し上げます。
~~DyScO3の用途って?~~
DyScO3単結晶基板は多彩な機能が期待される遷移金属酸化物の研究分野にて頻繁に使われる単結晶です。
中でもペロブスカイト酸化物のSrRuO3やマルチフェロイック物質のBiFeO3などとのマッチングが良いとされています。
結晶育成法 |
チョクラルスキー |
---|---|
結晶構造 |
Orthorhombic, Perovskite |
結晶カラー |
黄色 |
密度 (g/cm3 ) |
6.9 |
溶融温度(K) |
2400 |
熱膨張率 (10-6K-1) |
8.4 |
比誘電率(1 Mhz) |
~21 |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
![](https://k-and-r.co.jp/wp-content/uploads/2023/06/DSC-scaled.jpg)
サイズ |
5x5mm、10x5mm、10x10mm等 |
---|---|
厚み |
0.5mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(110)、(001)等 |
GdScO3単結晶基板(ガドリニウムスキャンデート単結晶基板)は世界で唯一、GdScO3の単結晶育成を行える某結晶育成研究所と専属提携している(独)CrysTec GmbH社でしか製造されていない単結晶です。つまり、市場に出回っているGdScO3単結晶基板は元を辿ると全てCrysTec発という非常に貴重な基板です。
K&RはCrysTec GmbH社の日本総代理店として、直輸入による万全の品質・アフターケアのお約束はもちろんのこと、
圧倒的にお求めやすい価格にて販売させていただいております。
常々在庫確保に努めておりますが、良質なGdScO3単結晶を育成するのに時間がかかり、結晶サイズや需要の関係から確保できる数量にも限りがございますため、売り切れている場合も多いです。(想定標準納期:3~4ヶ月程度)
GdScO3単結晶基板をご利用予定のお客様はお早めのご計画を何卒お願い申し上げます。
~~GdScO3の用途って?~~
GdScO3単結晶基板は多彩な機能が期待される遷移金属酸化物の研究分野にて頻繁に使われる単結晶です。
中でもペロブスカイト酸化物のSrRuO3やマルチフェロイック物質のBiFeO3などとのマッチングが良いとされています。
結晶育成方法 |
チョクラルスキー |
---|---|
結晶構造 |
Orthorhombic, Perovskite |
格子定数 (nm) |
a=0.545, b=0.575, c=0.793 |
結晶カラー |
無色 |
密度 (g/cm3 ) |
6.6 |
溶融温度(K) |
2400 |
熱膨張率 (10-6K-1) |
10.90 |
比誘電率(1 Mhz) |
~21 |