Nbドープ濃度別、抵抗率
標準的なSrTiO3基板にNbをドープし、導電性を付与した基板です。
大きなサイズには対応しておりませんが、10x10mmをメインに様々なドープ濃度にご対応申し上げます。
サイズ |
10x5mm、10x10mm、等 |
|---|---|
厚み |
0.5mm |
ドープ濃度 |
0.01wt%, 0.05wt%, 0.1wt%, 0.5wt%, 0.7wt% |
結晶カラー |
薄黒～濃青黒（ドープ濃度による） |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(100)、(110)、(111) |
サイズ |
5x5mm、10x5mm、10x10mm等 |
|---|---|
厚み |
0.5mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(110)、(001)等 |
DyScO3単結晶基板（ジスプロジウムスキャンデート単結晶基板）は世界で唯一、DyScO3の単結晶育成を行える某結晶育成研究所と専属提携している(独)CrysTec GmbH社でしか製造されていない単結晶です。つまり、市場に出回っているDyScO3単結晶基板は元を辿ると全てCrysTec発という非常に貴重な基板です。
K&RはCrysTec GmbH社の日本総代理店として、直輸入による万全の品質・アフターケアのお約束はもちろんのこと、
圧倒的にお求めやすい価格にて販売させていただいております。
常々在庫確保に努めておりますが、良質なDyScO3単結晶を育成するのに時間がかかり、結晶サイズや需要の関係から確保できる数量にも限りがございますため、売り切れている場合も多いです。（想定標準納期：3～4ヶ月程度）
DyScO3単結晶基板をご利用予定のお客様はお早めのご計画を何卒お願い申し上げます。
~~DyScO3の用途って？～~
DyScO3単結晶基板は多彩な機能が期待される遷移金属酸化物の研究分野にて頻繁に使われる単結晶です。
中でもペロブスカイト酸化物のSrRuO3やマルチフェロイック物質のBiFeO3などとのマッチングが良いとされています。
結晶育成法 |
チョクラルスキー |
|---|---|
結晶構造 |
Orthorhombic, Perovskite |
結晶カラー |
黄色 |
密度 (g/cm3 ) |
6.9 |
溶融温度（K) |
2400 |
熱膨張率 (10-6K-1) |
8.4 |
比誘電率（1 Mhz) |
~21 |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
サイズ |
5x5mm、10x5mm、10x10mm等 |
|---|---|
厚み |
0.5mm |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(110)、(001)等 |
GdScO3単結晶基板（ガドリニウムスキャンデート単結晶基板）は世界で唯一、GdScO3の単結晶育成を行える某結晶育成研究所と専属提携している(独)CrysTec GmbH社でしか製造されていない単結晶です。つまり、市場に出回っているGdScO3単結晶基板は元を辿ると全てCrysTec発という非常に貴重な基板です。
K&RはCrysTec GmbH社の日本総代理店として、直輸入による万全の品質・アフターケアのお約束はもちろんのこと、
圧倒的にお求めやすい価格にて販売させていただいております。
常々在庫確保に努めておりますが、良質なGdScO3単結晶を育成するのに時間がかかり、結晶サイズや需要の関係から確保できる数量にも限りがございますため、売り切れている場合も多いです。（想定標準納期：3～4ヶ月程度）
GdScO3単結晶基板をご利用予定のお客様はお早めのご計画を何卒お願い申し上げます。
~~GdScO3の用途って？～~
GdScO3単結晶基板は多彩な機能が期待される遷移金属酸化物の研究分野にて頻繁に使われる単結晶です。
中でもペロブスカイト酸化物のSrRuO3やマルチフェロイック物質のBiFeO3などとのマッチングが良いとされています。
結晶育成方法 |
チョクラルスキー |
|---|---|
結晶構造 |
Orthorhombic, Perovskite |
格子定数 (nm) |
a=0.545, b=0.575, c=0.793 |
結晶カラー |
無色 |
密度 (g/cm3 ) |
6.6 |
溶融温度（K) |
2400 |
熱膨張率 (10-6K-1) |
10.90 |
比誘電率（1 Mhz) |
~21 |
サイズ |
10×10～20x20mm、2″φ、3″φ等 |
|---|---|
厚み |
0.5mm、1mm、0.1mm等 |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(100), (110), (111) ※ (111)基板の表面には若干のマイクロスクラッチが残ります |
純度 |
MgO > 99.99% Ca : 12.517 ppm Si : 3.758 ppm Al : 5.920 ppm Cr : 0.559 ppm Fe : 4.229 ppm B : 4.614 ppm ※ ICP発光分光分析法 数値は代表値であり、保証値ではございません |
MgO単結晶基板（酸化マグネシウム単結晶基板）は古くからSrTiO3単結晶基板（チタン酸ストロンチウム単結晶基板）に並び、高温超伝導体薄膜形成用基板として使われてまいりました。磁性半導体や強誘電体等の分野でも多々用いられております。
超伝導分野においては、誘電率の低さから、実用化を目指すマイクロ波帯デバイスの基板として長年採用されております。また、サファイア基板上に成膜した場合と比べてノイズが小さいことも魅力的です。
K&Rでは定番サイズの10x10mmから大口径のφ基板まで、様々な仕様のMgO基板を販売しております。
潮解性が強い基板故、品質維持のために10枚毎に真空パッキングを行っております。
そのため、基本的な最小販売数量は10枚となりますこと、ご容赦下さい。
※ 面粗さや不純物データ等、ご参考情報として事前にご提供可能です。
品質がご不安でしたらご遠慮なくお問合せ下さい。
結晶育成方法 |
Arc fusion |
|---|---|
結晶構造 |
Cubic |
格子定数（nm) |
a=0.4212 |
結晶カラー |
無色 |
密度 (g/cm3) |
3.58 |
溶融温度 (K) |
3050 |
熱伝導率 (W/m K) |
～30 |
比誘電率 |
9.6 |
損失係数 |
3.3×10-7 |
硬度 (Mohs) |
5.8 |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。
サイズ |
10x10mm～50x50mm、2″φ～8″φ等 |
|---|---|
厚み |
0.43mm、0.5mm、0.53mm等 |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(c) = (0001) (r) = (1-102) (a) = (11-20) (m) = (10-10) (S) = (10-11) (n) = (11-23) |
サファイア基板は安価で入手しやすい上、耐久性も非常に強く、時計窓やLEDをはじめとする様々な用途に使われております。
しかしながら、サファイア市場における主な需要はウエハ（2″φ、3″φなど）にあり、小さな試料を作製するのに好都合な10x10mmサイズとなると、大手メーカー様では大型発注（100枚～）が必要になったり、2″φ品の価格と比べるとお世辞にも安いとは言えない価格で入手せざるを得ない状況にございます。
お客様ご自身で切断されるにしてもチッピングが多くなったり、そもそもの手間がかかります。
そのような悩みを解消するために、K&Rでは、定番となる(c)面基板をはじめ、超伝導用途の(r)面、さらには(a)面、(m)面の10x10mm基板を大量にストックし、お求めやすい価格にて販売しております。
ウエハ製品と異なり、数枚単位での販売も承っておりますので、どうぞお気軽にお問い合わせ下さい。
基板表面処理後のステップテラス面
（測定ご協力：東京工業大学フロンティア材料研究所）
結晶育成方法 |
EFG (Edge-Defined Film-Fed Growth)、キロプロス |
|---|---|
結晶構造 |
hexagonal |
格子定数 (nm) |
a=0.4763 c=1.3003 |
結晶カラー |
無色 |
密度 (g/cm3) |
3.97 |
溶融温度 (K) |
2053 |
熱伝導率 (W/m K) |
42 (25℃), 20 (300℃), 12 (800℃） |
比誘電率 |
11.5 (25℃) parallel to C-Axis 9.3 (25℃) perpendicular to C-Axis |
損失係数 |
< 10-4 |
硬度 (Mohs) |
9 |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。
サイズ |
10x10mm、15x15mm、20x20mm等 |
|---|---|
厚み |
0.5mm、1mm等 |
研磨 |
片面エピ研磨、両面エピ研磨 |
面方位 |
(100)、 (110)、 (111) |
LaAlO3単結晶基板（ランタンアルミネート単結晶基板）は超伝導・強誘電体をはじめ、様々な薄膜作製に使われております。
販売業者様によって価格差が大きい単結晶ですが、弊社が販売するLaAlO3基板は非常に廉価でコストパフォーマンスに非常に優れており、各分野でのご研究に多々採用されております。
下記にユーザー様側にてステップ処理を行った後のAFM画像を掲載しておりますので、是非ご参照下さい。
基板表面処理後のステップテラス面
（測定ご協力：東京工業大学フロンティア材料研究所）
結晶育成方法 |
チョクラルスキー |
|---|---|
結晶構造 |
pseudocubic with micro twins parallel to (100) |
格子定数 (nm) |
a=0.3821nm |
結晶カラー |
無色～ややオレンジ ※ ロット間で若干のバラつきがみられる場合がございます |
密度 (g/cm3) |
6.51 |
溶融温度 (K) |
2380 |
熱伝導率 (W/m K) |
10 |
比誘電率 |
~23.5 |
損失係数 (77K, 10GHz) |
6×10-5 |
硬度 (Mohs) |
6 |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
サファイアウエハー(c)はGaNやAlNを始めとするLED用途に使われる定番の材料であり、
酸化物薄膜の作製にも頻繁に用いられます。価格が安く、大量使用に向いております。
表面平坦性や面粗さに優れたK&Rのサファイアウエハーを是非お試し下さい。
面精度 |
+0.2°off to (+/- 0.1°) |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
(11-20) (+/- 0.2°）, 16mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 10um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
面精度 |
+0.2°off to (+/- 0.1°) |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
(11-20) (+/- 0.2°）, 22mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 15um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
面精度 |
+0.2°off to (+/- 0.1°) |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
(11-20) (+/- 0.2°）, 30mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 20um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
面精度 |
+0.2°off to (+/- 0.1°) |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
(11-20) (+/- 0.2°）, 42mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 20um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
面精度 |
+0.2°off to (+/- 0.1°) |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.2mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
(11-20) (+/- 0.2°）, 47mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 25um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
面精度 |
+0.2°off to (+/- 0.1°) |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.2mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
要打ち合わせ |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 30um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
