お客様のご要望にお応えし、Si（シリコン）とGaAs（ガリウムヒ素）を
メインに半導体結晶にもご対応しております。
2″φや3″φといったウエハ形状でもご対応可能ですが、元々、加工技術に長けている弊社提携先のアドバンテージを活かし、10x10mmなどの小さなサイズに切り出した基板にも対応致しております。
ウエハをご自身で小さく切断されるのがご面倒・チッピングが多いとお悩みのご研究者様、大手メーカー様では
ご対応していない小ロットでのウエハ購入、10x10mmなど角型の小型基板をご入用のご研究者様、是非
弊社サービスをご利用下さい。
製品 |
シリコンウエハー、GaAsウエハー |
|---|---|
主要サイズ |
2″φ～8″φ、10x10mm、20x20mm等 |
詳細仕様 |
定番のドープ、抵抗率にご対応可能です。 ご要望の仕様をご教示くださいませ。 |
特徴 |
ロット枚数（25枚）単位だとお安くご案内可能です。25枚は不要でも、5枚などの少量でもご提供できる場合がございますので、ご遠慮なくお問合せ下さい。 また、10x10mmなどの切断品はチッピングも少なく、綺麗な状態で納入致します。ご自身で切断される手間も省けますし、特にGaAsの場合切断した状態での納入になりますので、ご自身で切断されるに際する環境整備等を気にする必要がございません。 |
サファイアウエハー(m)はLP-MOCVDによるMgZnO薄膜（半導体発光素子関連）の下地基板として、非常にポピュラーな材料です。
面精度 |
+/- 0.3° |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
(0001) (+/- 0.2°）,16mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 10um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
サファイアウエハー(a)は比誘電率にムラがなく高断熱性を持っており、酸化物薄膜を始めとする様々な薄膜研究に用いられております。
面精度 |
+/- 0.3° |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
(0001), 16mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 10um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
サファイアウエハー(r)はミクロ集積回路に使われるシリコンのヘテロエピタキシャル成長などに用いられます。
また、銅系酸化物超電導体デバイス作製時の基板としても非常に有名です。
超伝導デバイスでは厚み公差の制御が非常に重要であり、K&Rはそれにお応えする形で「厚み公差：+/-5um」という
特殊なサファイアウエハーにもご対応致しております。
面精度 |
+/- 0.3° |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
45° counter clockwise from c軸投影線(r面上), 16mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 10um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
結晶構造 |
六方晶系 |
|---|---|
結晶純度 |
6N |
融点 (K) |
692.68 |
硬度(Mohs) |
2.5 |
熱伝導率(W/mK) |
116 (300K) |
電気抵抗率( n Ω.m) |
59 (20℃) |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
結晶構造 |
Cubic（体心立方） |
|---|---|
結晶純度 |
4N+ |
融点 (K) |
3695 |
硬度 (Mohs) |
7.5 |
熱伝導率 (W/mK) |
173 (300K) |
電気抵抗率 (n Ω・m) |
52.80（20℃) |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
結晶構造 |
Cubic (体心立方) |
|---|---|
結晶純度 |
4N+ |
融点 (K) |
3290 |
硬度 (Mohs) |
6.5 |
熱伝導率 (W/mK) |
57.50 (300K) |
電気抵抗率 (n Ω・m) |
131（20℃) |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
結晶構造 |
Cubic（面心立方） |
|---|---|
結晶純度 |
5N |
結晶育成方法 |
チョクラルスキー |
融点 (K) |
2435 |
硬度 (Mohs) |
2.5 |
熱伝導率 (W/mK) |
429 (300K) |
電気抵抗率 (n Ω・m) |
15.87（20℃) |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
結晶構造 |
面心立方 |
|---|---|
結晶純度 |
4N5 |
融点(K) |
1728 |
硬度(Mohs) |
4.0 |
熱伝導率(W/mK) |
90.90 (300K) |
電気抵抗率( n Ω.m) |
69.30 (20℃) |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
結晶構造 |
体心立方 |
|---|---|
結晶純度 |
4N+ |
融点 (K) |
2896 |
硬度(Mohs) |
5.5 |
熱伝導率(W/mK) |
138 (300K) |
電気抵抗率( n Ω.m) |
53.4 (20℃) |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
