サイズ |
10x10mm, 15x15mm, 20x20mm （※ 20x20mmは(100)のみ） |
|---|---|
厚み |
0.5mm, 1mm等 |
研磨 |
片面研磨、両面研磨 |
面方位 |
(100), (110), (111) |
SrTiO3単結晶基板（チタン酸ストロンチウム単結晶基板）は高温超電導体や強誘電体をはじめ、様々な薄膜作製に使われております。ベルヌーイ法で育成されている歴史のある結晶です。
(100)研磨面にウェットエッチングを施すことにより、TiO2終端のステップテラス面を比較的容易に得られるためエピタキシャル成長用基板として世界中で使われております。
弊社では、STEP処理済の基板（所謂、STEP基板）の取り扱いはございませんが、基板ご購入者様には
STEP＆テラス面出しに役立つレシピをご提供申し上げておりますので、お気軽にお声掛け下さい。
販売業者様によって価格差が大きい単結晶ですが、弊社が販売するSrTiO3基板は非常に廉価で
コストパフォーマンスに優れているのが特徴です。
もちろん品質も良好なので、大量使用だけでなくここぞという時のご研究にも採用されることが多いです。
また、特注での受注生産となりますが面方位をシビアに管理した基板の提供も行っております。
（例：+/- 0.1~0.15°off)
結晶育成方法 |
ベルヌーイ |
|---|---|
結晶構造 |
Cubic |
格子定数（nm) |
a=0.3905 |
結晶カラー |
無色～やや黄色 |
密度 (g/cm3, 25℃) |
5.12 |
溶融温度 (K) |
2353 |
熱伝導率 (K-1) |
9×10-6 |
比誘電率 |
300 |
損失係数 (77K, 10GHz) |
2×10-2 |
硬度 (Mohs) |
6 – 6.5 |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
サファイアウエハー(m)はLP-MOCVDによるMgZnO薄膜（半導体発光素子関連）の下地基板として、非常にポピュラーな材料です。
面精度 |
+/- 0.3° |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
(0001) (+/- 0.2°）,16mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 10um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
サファイアウエハー(a)は比誘電率にムラがなく高断熱性を持っており、酸化物薄膜を始めとする様々な薄膜研究に用いられております。
面精度 |
+/- 0.3° |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
(0001), 16mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 10um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
サファイアウエハー(r)はミクロ集積回路に使われるシリコンのヘテロエピタキシャル成長などに用いられます。
また、銅系酸化物超電導体デバイス作製時の基板としても非常に有名です。
超伝導デバイスでは厚み公差の制御が非常に重要であり、K&Rはそれにお応えする形で「厚み公差：+/-5um」という
特殊なサファイアウエハーにもご対応致しております。
面精度 |
+/- 0.3° |
|---|---|
外径公差 |
+/- 0.1mm |
厚み公差 |
+/- 25um |
オリフラ |
45° counter clockwise from c軸投影線(r面上), 16mm |
面粗さ |
エピ面 Ra<0.2nm fine ground Ra=0.8~1.2um程度 |
TTV, WARP, BOW |
< 10um |
その他 |
Class100クリーンルームにて 洗浄・梱包 |
結晶構造 |
六方晶系 |
|---|---|
結晶純度 |
6N |
融点 (K) |
692.68 |
硬度(Mohs) |
2.5 |
熱伝導率(W/mK) |
116 (300K) |
電気抵抗率( n Ω.m) |
59 (20℃) |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
結晶構造 |
Cubic（体心立方） |
|---|---|
結晶純度 |
4N+ |
融点 (K) |
3695 |
硬度 (Mohs) |
7.5 |
熱伝導率 (W/mK) |
173 (300K) |
電気抵抗率 (n Ω・m) |
52.80（20℃) |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
結晶構造 |
Cubic (体心立方) |
|---|---|
結晶純度 |
4N+ |
融点 (K) |
3290 |
硬度 (Mohs) |
6.5 |
熱伝導率 (W/mK) |
57.50 (300K) |
電気抵抗率 (n Ω・m) |
131（20℃) |
※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
結晶構造 |
Cubic（面心立方） |
|---|---|
結晶純度 |
5N |
結晶育成方法 |
チョクラルスキー |
融点 (K) |
2435 |
硬度 (Mohs) |
2.5 |
熱伝導率 (W/mK) |
429 (300K) |
電気抵抗率 (n Ω・m) |
15.87（20℃) |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
結晶構造 |
面心立方 |
|---|---|
結晶純度 |
4N5 |
融点(K) |
1728 |
硬度(Mohs) |
4.0 |
熱伝導率(W/mK) |
90.90 (300K) |
電気抵抗率( n Ω.m) |
69.30 (20℃) |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
結晶構造 |
体心立方 |
|---|---|
結晶純度 |
4N+ |
融点 (K) |
2896 |
硬度(Mohs) |
5.5 |
熱伝導率(W/mK) |
138 (300K) |
電気抵抗率( n Ω.m) |
53.4 (20℃) |
※上記数値は保証値でなく、一般値です。
基本的にはお客様のご要望に基づいた受注生産となりますので、定番仕様はございません。
お問い合わせフォームにご要望の仕様をご記載の上ご連絡下さい。ご質問だけでの場合でもお気軽にご連絡下さいませ。
(1) サイズ ： ご要望をお聞かせください。
研究用途定番の10mmφはもちろん、材料によっては2″φ等の大口径基板のご提供も可能です。
(2) 面方位・公差 ： ご要望に応じて製造しております。
オフ角、特殊方位も承っております。（図面のご提出をお願い申し上げます。）
面方位公差は
